據(jù)臺(tái)媒《工商時(shí)報(bào)》報(bào)道，晶圓代工龍頭臺(tái)積電在上周的法說(shuō)會(huì)上透露了其3nm制程的更多細(xì)節(jié)。
據(jù)悉，3nm采用FinFET架構(gòu)及EUV技術(shù)，3nm相對(duì)5nm邏輯密度將大幅增加70％，性能提升10-15%，功耗在同樣性能下將降低25-30%，面積為原來(lái)的1/1.7，且EUV光罩層數(shù)將倍增。
此前ASML CEO Peter Wennink在財(cái)報(bào)會(huì)上指出，5nm制程采用的EUV光罩層數(shù)將超過(guò)10層，3nm制程采用的EUV光罩層數(shù)會(huì)超過(guò)20層，隨著制程微縮EUV光罩層數(shù)會(huì)明顯增加，并取代深紫外光（DUV）多重曝光制程。
另外，該報(bào)道稱臺(tái)積電將會(huì)積極采購(gòu)EUV光刻機(jī)設(shè)備，未來(lái)3～5年仍將是擁有全球最大EUV產(chǎn)能的半導(dǎo)體廠。
在先進(jìn)工藝上，臺(tái)積電一直走在業(yè)界前列。該公司EUV技術(shù)已進(jìn)入量產(chǎn)且制程涵蓋7+nm、6nm、5nm。
據(jù)設(shè)備廠商消息，臺(tái)積電7+nm采用EUV光罩層最多達(dá)四層，AMD新一代Zen 3架構(gòu)處理器預(yù)期是采用該制程量產(chǎn)。6nm已在第四季進(jìn)入量產(chǎn)，EUV光罩層數(shù)較7+nm增加一層，包括聯(lián)發(fā)科、英偉達(dá)、英特爾等大廠都將采用6nm生產(chǎn)新一代產(chǎn)品。
今年下半年開(kāi)始量產(chǎn)5nm制程，主要為蘋(píng)果量產(chǎn)A14及A14X處理器，包括AMD、高通、英偉達(dá)、英特爾、博通等都會(huì)在明年之后導(dǎo)入5nm制程量產(chǎn)新一代產(chǎn)品。
此外，3nm產(chǎn)品將會(huì)在2021年出現(xiàn)在市場(chǎng)上，2022年開(kāi)始大批量生產(chǎn)。 
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