固態(tài)硬盤掉速是電腦玩家們經(jīng)常討論的話題，似乎沒有一種完全不掉速的型號，這是怎么回事呢?
由SLC緩存直接引發(fā)的掉速
雖然閃存已經(jīng)發(fā)展到3D制程，但本質(zhì)上它依然是TLC類型，需要依靠SLC緩存來提升寫入速度。
一旦SLC緩存短時間內(nèi)大量寫入用完，來不及恢復，寫入速度就會有所下降。這是當代固態(tài)硬盤都繞不開的彎。好消息是家用電腦的系統(tǒng)盤除了首次安裝系統(tǒng)和軟件，其他時候大量、不間斷寫入的機會比較少。所以盡管這種情況一定存在，通常固態(tài)硬盤在作為系統(tǒng)盤使用中卻很少會遇到。
由SLC緩存間接引發(fā)的掉速
既然SLC緩存用完之后寫入速度鐵定下滑，那么增大SLC緩存會怎樣?這樣當然造不出“永動機”，全盤SLC算法僅在空盤時能發(fā)揮較好性能，隨著盤內(nèi)使用空間的增加，最終釋放緩存引發(fā)的掉速不可避免的會增多，并逐漸落后于東芝TR200這類固定SLC算法的固態(tài)硬盤。
固定SLC算法在外表看來緩存容量不大，但優(yōu)點是性能保持穩(wěn)定，即便使用到接近滿盤，也不會有明顯性能衰減。
不光AS SSD Benchmark與CrystalDiskMark不掉速，90%滿盤狀態(tài)下的東芝TR200 960G在PCMark 8存儲性能測試中同樣做到了完全不掉速：
DRAM緩存引發(fā)的掉速
網(wǎng)上有一種說法是無DRAM緩存的固態(tài)硬盤易掉速，而現(xiàn)在無DRAM緩存的固態(tài)硬盤越來越多，大有一統(tǒng)天下的局面。這種情況真的會掉速嗎?
無DRAM緩存的固態(tài)硬盤因為沒有空間存放完整的FTL表，F(xiàn)TL交換在閃存和主控內(nèi)的小容量SRAM緩存之間實時進行。數(shù)據(jù)存放的位置跨度越大，隨機讀取請求越有可能因為閃存轉(zhuǎn)換層需要進入NAND查表而延遲。
不過實際上主控SRAM內(nèi)存儲的FTL閃存映射表并不是針對固定某一段位置，而是隨著電腦數(shù)據(jù)讀寫熱度而動態(tài)調(diào)整，常用數(shù)據(jù)可直接從SRAM緩存中命中結果，相比外置DRAM緩存還要更高效。
通過在TxBENCH中設定不同的測試范圍，可以發(fā)現(xiàn)東芝TR200主控中的SRAM緩存可以支持到8GB地址范圍的完整尋址。即便將測試區(qū)間擴展到32GB也能提供35MB/s的4K QD1隨機讀取速度，充分保障了日常使用性能。
對于家用電腦來說，東芝TR200已經(jīng)能夠滿足大多數(shù)用戶的上網(wǎng)娛樂和辦公需求。如果你的電腦還需要更強的讀寫性能來進行圖形圖像設計類工作，更高端的Q200或者RC100將能更好地滿足你的需求。
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