國產光刻機取得重大進展 氟化氬光刻機套刻≤8nm

9月15日消息，從工業(yè)和信息化部在官網公布的《首臺（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄（2024年版）》來看，國產光刻機已取得重大突破，氟化氬光刻機套刻≤8nm。

在《首臺（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄（2024年版）》中，也公布了氟化氬光刻機其他的核心技術指標，晶圓直徑300mm，照明波長193nm，分辨率≤65nm。

此外，《首臺（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄（2024年版）》中還有氟化氪光刻機，晶圓直徑300mm，照明波長248nm，分辨率≤110nm，套刻≤25nm。

除了光刻機，工信部在印發(fā)的《首臺（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄（2024年版）》中，還有多類集成電路生產裝備，包括硅外延爐、濕法清洗機、氧化爐、涂膠顯影機、高能離子注入機、低能離子注入機、等離子干法刻蝕機、特種金屬膜層刻蝕機、化學氣相沉積裝備、物理氣相沉積裝備、化學機械拋光機、激光退火裝備、光學線寬量測裝備。

光刻機、刻蝕機等芯片生產關鍵設備取得突破，也就意味著我國芯片制造商在關鍵設備上有了更先進的國產設備可用，有利于芯片產業(yè)鏈的國產化，也將提升國產芯片的水平，保障供應。

工信部在官網公布的《首臺（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄（2024年版）》，包括15大類重大技術裝備，除了長期困擾我國芯片產業(yè)的光刻機，還有高端工業(yè)母機、高端醫(yī)療裝備、精密儀器儀表等。（海藍）

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