8月3日消息，今日長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（長(zhǎng)江存儲(chǔ)）在2022年閃存峰會(huì)（FMS）上正式發(fā)布了基于晶棧?（Xtacking）3.0技術(shù)的第四代TLC三維閃存X3-9070。相比長(zhǎng)江存儲(chǔ)上一代產(chǎn)品，X3-9070擁有更高的存儲(chǔ)密度，更快的I/O速度，并采用6-plane設(shè)計(jì)，性能提升的同時(shí)功耗更低，進(jìn)一步釋放系統(tǒng)級(jí)產(chǎn)品潛能。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)第四代TLC三維閃存X3-9070
自2018年問世以來(lái)，晶棧?（Xtacking）技術(shù)已成為長(zhǎng)江存儲(chǔ)助推閃存行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵動(dòng)力之一。存儲(chǔ)陣列和外圍電路的混合鍵合工藝為閃存產(chǎn)品帶來(lái)了更高的密度、更快的I/O速度和更短的產(chǎn)品上市周期。隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)晶棧?3.0的推出，新一代X3系列閃存產(chǎn)品將為大數(shù)據(jù)、5G、智能物聯(lián)（AloT）及其他領(lǐng)域的多樣化應(yīng)用帶來(lái)新的機(jī)遇。
經(jīng)歷了晶棧?從1.0到3.0的迭代發(fā)展，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在三維異構(gòu)集成領(lǐng)域已積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)，并基于晶棧?技術(shù)成功打造了多款長(zhǎng)江存儲(chǔ)系統(tǒng)解決方案產(chǎn)品，包括SATA III、PCIe Gen3、Gen4固態(tài)硬盤，以及用于移動(dòng)通信和其他嵌入式應(yīng)用的eMMC、UFS等嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品，獲得了行業(yè)合作伙伴的廣泛好評(píng)。
“長(zhǎng)江存儲(chǔ)自研晶棧?3.0架構(gòu)的問世是其在3D NAND賽道上的重要突破，” Forward Insights創(chuàng)始人兼首席分析師 Gregory Wong表示，“事實(shí)證明，存儲(chǔ)陣列和外圍邏輯電路的混合鍵合技術(shù)對(duì)推動(dòng)3D NAND技術(shù)發(fā)展和創(chuàng)新至關(guān)重要。搭載先進(jìn)的閃存技術(shù)晶棧?3.0平臺(tái)，X3-9070是一個(gè)關(guān)鍵的行業(yè)里程碑。這也預(yù)示著，存儲(chǔ)單元和外圍邏輯電路混合鍵合的技術(shù)，將有望成為未來(lái)的行業(yè)主流。”
作為一款創(chuàng)新產(chǎn)品，長(zhǎng)江存儲(chǔ)X3-9070兼具出色的性能、更佳的耐用性以及高質(zhì)量可靠性，并通過(guò)美國(guó)電子器件工程聯(lián)合委員會(huì)（JEDEC）定義的多項(xiàng)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。
X3-9070具有如下技術(shù)特點(diǎn)：
· 性能：X3-9070實(shí)現(xiàn)高達(dá)2400MT/s的I/O傳輸速率，符合ONFI5.0規(guī)范；相較于長(zhǎng)江存儲(chǔ)上一代產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了50%的性能提升；
· 密度：得益于晶棧?3.0的架構(gòu)創(chuàng)新，X3-9070成為了長(zhǎng)江存儲(chǔ)歷史上密度最高的閃存顆粒產(chǎn)品，能夠在更小的單顆芯片中實(shí)現(xiàn)1Tb的存儲(chǔ)容量；
· 提升系統(tǒng)級(jí)產(chǎn)品體驗(yàn)：得益于創(chuàng)新的 6-plane設(shè)計(jì)，X3-9070相比傳統(tǒng)4-plane，性能提升50%以上，同時(shí)功耗降低25%，能效比顯著提升，可為終端用戶帶來(lái)更具吸引力的總體擁有成本（TCO）。
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