4月20日消息，強(qiáng)茂半導(dǎo)體推出了最新的650V和1200V 碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管系列，與硅基礎(chǔ)的組件相比，它們提供了出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。 強(qiáng)茂最新發(fā)布的650V和1200V碳化硅二極管產(chǎn)品系列采用通孔型TO-220AC、TO-263、TO-252AA和新增加TO-247AD-2LD/3LD封裝，額定電流范圍為4安培（A）至40安培（A）。
強(qiáng)茂的碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管具有零反向恢復(fù)電流，低正向壓降，高溫獨(dú)立切換開(kāi)關(guān)特性，高浪涌電流能力和出色的熱性能。此外，碳化硅技術(shù)可以在-55°C至+ 175°C的工作溫度范圍內(nèi)提供較低的傳導(dǎo)損耗，并具有穩(wěn)定性和高耐用性。
新型碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管旨在為工程師設(shè)計(jì)各種應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換電路，包括PV逆變器，EV充電樁，工業(yè)電機(jī)，電信和服務(wù)器電源以及家用電器，在這些應(yīng)用中，他們面臨著如何在更高的系統(tǒng)效率下實(shí)現(xiàn)更小的占板面積的挑戰(zhàn)。 強(qiáng)茂提供的650V和1200V碳化硅二極管，是下一代電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的理想解決方案。
產(chǎn)品性能：
SiC SBD產(chǎn)品陣容：
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