三星聯(lián)手英偉達密謀12層HBM3E芯片供應 存儲技術(shù)或迎重大突破

三星DS部門負責人全永鉉近日訪問英偉達美國總部,雙方就12層HBM3E內(nèi)存供應合作展開洽談,目標為英偉達下一代GB300 Blackwell Ultra GPU提供關(guān)鍵存儲解決方案。據(jù)業(yè)內(nèi)消息,英偉達已與SK海力士及美光達成12層HBM3E的初期供貨協(xié)議,Blackwell Ultra預計將于2024年底正式出貨。值得注意的是,英偉達暫緩簽署2026年HBM3E長期供應合約,業(yè)界解讀此舉旨在通過引入三星作為第三供應商,增強其在供應鏈議價中的主動權(quán)。若三星成功通過驗證,三足鼎立的競爭格局或?qū)@著改善英偉達的采購成本結(jié)構(gòu)。目前,12層HBM3E技術(shù)已成為AI芯片軍備競賽的核心戰(zhàn)場,其堆疊密度與帶寬性能將直接決定下一代GPU的市場競爭力。(完)

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2025-07-01
三星聯(lián)手英偉達密謀12層HBM3E芯片供應 存儲技術(shù)或迎重大突破
三星DS部門負責人全永鉉近日訪問英偉達美國總部,雙方就12層HBM3E內(nèi)存供應合作展開洽談,目標為英偉達下一代GB300 Blackwell Ultra GPU...

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