三星突破1c納米DRAM工藝 全球首款量產(chǎn)級超微內(nèi)存芯片即將問世

三星電子完成1c納米DRAM工藝開發(fā) 量產(chǎn)在即

據(jù)極客網(wǎng)報(bào)道,三星電子近日正式授予第六代10nm級DRAM內(nèi)存工藝1c納米生產(chǎn)準(zhǔn)備批準(zhǔn)(PRA),標(biāo)志著該項(xiàng)技術(shù)開發(fā)工作已全部完成,即將進(jìn)入量產(chǎn)階段。

作為DRAM制程技術(shù)的重大突破,1c納米工藝將進(jìn)一步提升內(nèi)存產(chǎn)品的性能和能效表現(xiàn)。行業(yè)分析指出,該技術(shù)的量產(chǎn)將鞏固三星在高端內(nèi)存市場的領(lǐng)先地位,并為下一代計(jì)算設(shè)備提供更強(qiáng)有力的存儲支持。

三星電子表示,1c納米工藝的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作正在有序推進(jìn),預(yù)計(jì)將在近期實(shí)現(xiàn)規(guī)模生產(chǎn)。此次技術(shù)突破也預(yù)示著DRAM產(chǎn)業(yè)正式進(jìn)入1c納米時(shí)代,將為消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域帶來更高效的內(nèi)存解決方案。

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2025-07-01
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