6月12日,智能電源和智能感知技術的領先企業(yè)安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON)發(fā)布最新的第 7 代 1200V QDual3 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 功率模塊。與其他同類產品相比,該模塊的功率密度更高,且提供高10%的輸出功率。
該800 安培 (A) QDual3 模塊基于新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術,帶來業(yè)界領先的能效表現,有助于降低系統成本并簡化設計。應用于 150 千瓦的逆變器中時,QDual3 模塊的損耗比同類最接近的競品少 200 瓦(W),從而大大縮減散熱器的尺寸。
QDual3模塊專為在惡劣條件下工作而設計,非常適合用于大功率變流器,例如太陽能發(fā)電站中央逆變器、儲能系統 (ESS)、商用農業(yè)車輛(CAV)和工業(yè)電機驅動器。目前,根據不同的應用需求有兩種產品可供選擇——NXH800H120L7QDSG 和 SNXH800H120L7QDSG。
隨著可再生能源采用率不斷提高,對于高峰需求管理和持續(xù)供電保障等相關解決方案的需求也隨之日益增長。要想維持電網穩(wěn)定性和降低成本,就必須要削減電力需求高峰時段的用電量,即采取削峰填谷。利用 QDual3 模塊,制造商可以在相同系統尺寸下,設計出發(fā)電和蓄電能力更強的太陽能逆變器和儲能系統,提高能源管理效率,增強儲存能力,從而更平穩(wěn)地將太陽能電力并網到電網中。
此外,該模塊還支持將多余的電力儲存在儲能系統中,能夠有效緩解太陽能發(fā)電的間歇性問題,確保供電的可靠性和穩(wěn)定性。對于大型系統應用,可以將這些模塊通過并聯來提升輸出功率,達到數兆瓦級別。與傳統的600A模塊解決方案相比,800A的QDual3模塊顯著減少了所需模塊的數量,極大地簡化了設計復雜度并降低了系統成本。
QDual3 IGBT 模塊采用 800 A 半橋配置,集成了新的第 7 代溝槽場截止 IGBT 和二極管技術,采用安森美的先進封裝技術,從而降低了開關損耗和導通損耗。得益于 FS7 技術,裸片尺寸縮小了 30%,每個模塊可以容納更多的裸片,從而提高了功率密度,最大電流容量達到 800 A 或更高。該 800 A QDual3 模塊的 IGBT Vce(sat) 低至 1.75V(175℃),Eoff較低,能量損耗比最接近的替代方案低 10%。此外,QDual3 模塊還滿足汽車應用所要求的嚴格標準。
“隨著卡車和巴士等商用車隊的電氣化程度提高,以及市場對可再生能源的需求增加,需要能夠更高效地發(fā)電、儲存及分配電力的解決方案。以盡可能低的功率損耗將可再生能源輸送到電網、儲能系統及下游負載正變得日益關鍵?!卑采离娫捶桨甘聵I(yè)群工業(yè)電源部副總裁Sravan Vanaparthy指出,“QDual3采用遵循行業(yè)標準的引腳排列,提供出色的能效,為電力電子設計師們提供了一種即插即用的解決方案,并即刻實現系統性能的提升?!?/p>
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