極客網·芯片12月28日 你知道嗎?英偉達也有被“卡脖子”的時候。在其GPU產品中,就需要高帶寬內存(HBM),為生成式AI和大語言模型(LLM)提供強大的加速能力。而HBM技術主要掌握在SK海力士和美光等公司手里。
據報道,英偉達為了確保 HBM的穩(wěn)定供應,已經向SK海力士和美光公司提前支付了數億美元預付款。與此同時,三星電子最近也完成了產品測試,并與英偉達簽訂了HBM產品供應合同。
據業(yè)內人士提供的消息,SK海力士和美光公司分別從英偉達獲得了7000億~ 1萬億韓元(約5.4億~ 7.7億美元)的預付款。盡管具體細節(jié)尚未披露,但業(yè)內人士認為,這是英偉達為確保其在2024年新推出的GPU穩(wěn)定供應HBM3e而采取的必要措施。
一般來說,客戶向內存供應商大規(guī)模預付款項的情況很少見。然而,由于AI發(fā)展導致HBM市場需求快速增長,英偉達計劃通過積極的投資來確保穩(wěn)定的HBM來源,以確保其GPU的供貨。這對于在2023年遭受重大損失的內存供應商來說,預付款可以幫助他們解決財務問題,并降低與HBM相關的投資風險。
資料顯示,盡管HBM市場整體短缺,但內存供應商仍面臨巨大的投資負擔。其中,提高硅通孔(TSV)工藝的成本和產量是最具挑戰(zhàn)性的任務。隨著HBM的不斷發(fā)展,工藝和設備要求也在不斷變化,內存供應商必須采用不同的解決方案來解決散熱等問題。因此,需要在技術開發(fā)方面進行大量投資,而英偉達以大量預付款的形式提供資金支持,預計將會推動內存供應商對HBM的研發(fā)投入。
據報道,三星最近完成了HBM3和HBM3e的產品測試,并與英偉達簽署了供應合同。但有分析人士指出,與SK海力士在英偉達產品測試中使用1b納米(第五代10納米)內存相比,三星電子在生產HBM3e時使用的還是1a納米(第四代10納米)工藝,其可能需要額外的流程來提高性能,從而導致更高的成本。
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